近日，英国南安普敦大学宣布，成功开设了日本以外首个分辨率达 5 纳米以下的尖端电子束光刻 (EBL) 中心东信证券，可以制造下一代半导体芯片。这也是全球第二个，欧洲首个此类电子束光刻中心。
据介绍，该电子束光刻中心采用了日本JEOL的加速电压直写电子束光刻 (EBL) 系统，这也是全球第二台200kV 系统（JEOL JBX-8100 G3）（第一台在日本），其可以在 200 毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理。这可以在厚至 10 微米的光刻胶中实现，且侧壁几乎垂直，可用于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。JEOL的第二代EBL 设备——100kV JEOL JBX-A9 将计划用于支持更大批量的 300 毫米晶圆。
目前JEOL的加速电压直写电子束光刻系统（JEOL JBX-8100 G3）已经安装在了南安普顿大学蒙巴顿综合大楼内一个专门建造的 820 平方米洁净室内。
英国科学部长帕特里克·瓦兰斯勋爵 （Lord Patrick Vallance）表示：“英国是世界上一些最令人兴奋的半导体研究的所在地，南安普敦的新电子束设施极大地提升了我们的国家能力。通过投资基础设施和人才，我们为研究人员和创新者提供了在英国开发下一代芯片所需的支持。”
△南安普敦大学科学部长 Lord Vallance 勋爵、南安普敦大学校长 Mark E. Smith 教授、领导光电子研究中心 （ORC） 和 CORNERSTONE 的 Graham Reed 教授、日本Jeol CEO Osamu Wakimoto一起为该新设施揭幕东信证券。
“我们非常荣幸成为日本以外首个拥有这套新一代200千伏电子束光刻系统的机构。南安普顿大学在电子束光刻领域拥有超过30年的经验，”南安普顿大学马丁·查尔顿教授说道。“这将有助于推动量子计算、硅光子学和下一代电子系统领域的发展。这套设备与我们现有的微加工设备套件相得益彰，使我们能够研发和生产各种用于电子、光子学和生物纳米技术的集成纳米级器件。”
Graham Reed 教授补充道：“新电子束设施的引入将加强我们在英国学术界拥有最先进的洁净室的地位。它促进了大量创新和工业相关的研究，以及急需的半导体技能培训。”
一项新的研究表明，在英国蓬勃发展的半导体行业中实现增长的最大障碍之一是缺乏新兴人才。一名半导体工人平均每年可以为英国经济贡献 460,000 英镑。
英国政府已经推出了一项新的 475 万英镑的半导体技能计划，以帮助建立推动这一高增长行业所需的人才基础。
该一揽子计划还将有助于加强南安普敦等一流大学的研发能力，这些大学对英国半导体创新和人才发展至关重要。
Vallance 勋爵补充道：“我们 475 万英镑的技能计划将通过帮助更多年轻人进入高价值半导体职业、缩小技能差距并支持这一关键领域的增长来支持我们的变革计划。”
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编辑：芯智讯-浪客剑
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